MOS 전계효능 트랜지스터
페이지 정보
작성일 22-10-30 10:24본문
Download : MOS 전계효과 트랜지스터.hwp
레포트/공학기술
MOS 전계효과 트랜지스터에 대해 조사한 자료입니다.
순서
MOS 전계효능 트랜지스터
Download : MOS 전계효과 트랜지스터.hwp( 75 )
MOS전계효능트랜지스터
.
3. 증가형과 공핍형
게이트 전압을 인가해서 채널이 형성된 MOS transistor(트랜지스터) 를 증가형(enhancement type)이라 한다.MOS전계효과트랜지스터 , MOS 전계효과 트랜지스터공학기술레포트 ,
다.
채널길이가 감소해 소스 및 드레인 접합의 공핍층의 넓이가 채널길이가 같은 정도로 된다 이 경우 채널 내의 전위 분포는 게이트 전압에 의한 가로 방향 전계 및 드레인 전압에 의한 세로 방향 전계에 …(생략(省略))
,공학기술,레포트
설명
MOS 전계효능 트랜지스터에 대해 조사한 data(자료)입니다.
n채널 MOS transistor(트랜지스터) 의 증가형과 공핍형의 ID-VG property(특성)과 함께 ID-VD property(특성)을 그림에 나타낸다. 이것에 대하여 절연물-반도체의 경계에 있는 계면 상태 등에 의해서 반도체 표면의 에너지대가 만곡되어 게이트 전압을 인가하지 않아도 반전이 일어나 채널이 형성되어 있는 경우가 있다 이것을 공핍형(depletion type)이라 한다. p채널의 경우는 그림의 VG의 극성을 바꾸면 된다
4. 단채널 효율
채널 길이가 짧게 되면 다음과 같은 原因 때문에 동작 property(특성)에서 멀어진 property(특성)이 나타난다.