접합 다이오드의 特性(특성)
페이지 정보
작성일 22-12-10 07:14본문
Download : 접합 다이오드의 특성(2).hwp
.?역방향 바이어스(reverse bias)([0)
인가된 역방향전압에 의해 potential barrier는 더욱 높아짐.(건전지의 “+”단자가 다이오드의 n쪽에 접 속되어 전자들은 그만큼 에너지가 낮아짐)
n-QNR의 전자들은 potential barrier보다 낮은 에너지를 가지기 때문에 p+-QNR쪽으로 갈 수 없다. 이것이 바로 다이오드의 주된 特性이 된다된다.
(2) 접합 다이오드의 전압-전류 特性을 test(실험) 적으로 결정하고 도시한다.순서
접합,다이오드의,특성,기타,실험과제
접합 다이오드의 特性(특성)
접합 다이오드의 特性(특성)
접합 다이오드의 특성 , 접합 다이오드의 특성기타실험과제 , 접합 다이오드의 특성
접합 다이오드의 特性
1. test(실험) 목적
(1) 순방향 및 역방향 바이어스(bias)전압이 접합 다이오드(Junction diode)의 전류에 미치는 效果(효과)를 측정(測定) 한다.
?순방향 바이어스(forward bias)(]0)
인가된 순방향전압에 의해 potential barrier는 낮아진다.
2. test(실험) 이론(理論)
1) pn접합 다이오드
p형 반도체와 n형 반도체가 금속적으로 접합된 것. 이 pn접합은 전기적으로 어느 한쪽 방향으로만 전류가 흐르게 된다된다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift한다.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
(a…(투비컨티뉴드 )
설명
실험과제/기타
Download : 접합 다이오드의 특성(2).hwp( 35 )
_hwp_01.gif)
_hwp_02.gif)
_hwp_03.gif)
_hwp_04.gif)
_hwp_05.gif)
다.
(3) 접합 다이오드를 저항계로 시험하는 법을 익힌다.)
n-QNR의 전자중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자(thermal equilibrium보다 많음) 만
p+-QNR쪽으로 diffusion.
p+-QNR의 전자는 전계에 의해 n-QNR쪽으로 drift.
p에서 n으로 전류가 흐른다.
?평형상태
n-QNR의 전자 중 potential barrier보다 높은 에너지를 가진 전자만 p+-QNR쪽으로 diffusion한다.(건전지의 “-” 단자는 다이오드의 n쪽에 접속
되어 전자들은 그만큼 에너지가 높아진다.